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西门康IGBT模块SKIIP*5*3GB*72-3DL

  • 产品价格: 11000
  • 所 在 地: 北京--昌平区
  • 联 系 人: 张小慧
  • 发布时间: 2017/11/23
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 供应西门康模块SKIIP1513GB172-3DL
  IGBT管在使用过程中,经常受到容性或感性负载的冲击,发生过负荷甚至负载短路等,可能导致IGBT管损坏。IGBT管在使用时的损坏原因主要有过电压损坏和静电损坏
  
  IGBT管在关断时,由于电路中存在电感成分,关断瞬间将产生尖峰电压。如果尖峰电压超过IGBT管器件的最高峰值电压,将造成IGBT管击穿损坏。IGBT管过电压损坏可分为集电极一栅极过电压、栅极一发射极过电压、高du/dt过电压等。

  大多数过电压保护电路的设计都比较完善,但是对于由高du/dt所致的过电压故障,在设计中基本上都是采用无感电容或者RCD结构的吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够,会造成IGBT管损坏,对此可采用电压钳位,往往在集电极和栅极两端并接齐纳二极管(推荐使用美国Diodes公司的1.5KE××A产品系列),采用栅极电压动态控制方式。当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时,超出的电压将叠加在栅极上(米勒效应起作用),避免了IGBT管因受集电极一发射极过电压而损坏。

  采用栅极电压动态控制可以解决由于过高的du/dt带来的集电极一发射极瞬间过电压问题,但是它的弊端是:当IGBT管处于感性负载运行状态时,关断的IGBT管由于其反并联二极管(续流二极管)的恢复,其集电极和发射极两端的电压急剧上升,承受很高的瞬间du/dt。在多数情况下该du/dt值要比IGBT管正常关断时的集电极一发射极电压上升率高。

  由于米勒电容(Cres)的存在,该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用,直接导致栅极一发射极电压UGE升高,甚至超过IGBT管的开通门限电压UGEth,出现的恶劣情况就是使IGBT管被误触发导通。

 

 

1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A
SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A
SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A
SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A
 
1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
 
1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GB172-3DUW V3   1700V----600A
 
1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A

 

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